主要功能：

程序升溫脫附（TPD）、程序升溫還原（TPR）、程序升溫氧化（TPO）、程序升溫反應（TPRx）、脈沖化學吸附、動態BET比表面分析、脈沖校準。

技術參數：

1.     載氣：N2,Ar,He,H2等

2.     反應氣：H2, O2, CO, NO, SO2, NH3，H2S等

3.     氣體入口：6個（可擴展至10個，多路載氣、多路反應氣；混合器內置）

4.     液路入口：1個（可選配蒸汽發生裝置）

5.     溫度控制(管路、蒸汽發生器、爐子、TCD溫度均數字可控)

6.     爐子溫度：室溫~1200℃（加冷阱可以擴展到-100~1200℃）

7.     爐子精度：0.2%FS

8.     升溫速率：0~100℃/min（可實現分段控溫）

   0~500℃（升溫速率0~100℃），   500℃-750℃（升溫速率0~50℃），          750℃-1000℃（升溫速率0~30℃），          1000℃-1200℃（升溫速率0~20℃）。                                     

9.     蒸汽發生器：0~300℃（可選，溫度上限可設置，防止過熱）

10.   TCD溫度：0~300℃（可設置溫度上限，防止過熱）

11.   TCD恒溫精度：0.1%FS

12.   管路防冷凝：0~250℃.確保儀器不銹鋼管線、閥門和TCD探測器無“冷點”。